讯阳文艺网光刻技术基本步骤是什么呢？
光刻工艺主要步骤1. 基片前处理为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴，形成平滑且结合得很好的膜，必须进行表面准备，保持表面干燥且干净，2. 涂光刻胶涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的，并且没有缺陷的光刻胶膜。
3. 前烘(软烘焙)前烘的目的是去除胶层内的溶剂，提高光刻胶与衬底的粘附力及胶膜的机械擦伤能力。
4. 对准和曝光(A＆E) 保证器件和电路正常工作的决定性因素是图形的准确对准，以及光刻胶上精确的图形尺寸的形成。
所以，涂好光刻胶后，第一步是把所需图形在晶圆表面上准确定位或对准。
第二步是通过曝光将图形转移到光刻胶涂层上。
5. 显影显影是指把掩膜版图案复制到光刻胶上。
6. 后烘(坚膜)经显影以后的胶膜发生了软化、膨胀，胶膜与硅片表面粘附力下降。为了保证下一道刻蚀工序能顺利进行，使光刻胶和晶圆表面更好地粘结，必须继续蒸发溶剂以固化光刻胶。
7. 刻蚀刻蚀是通过光刻胶暴露区域来去掉晶圆最表层的工艺，主要目标是将光刻掩膜版上的图案精确地转移到晶圆表面。
8. 去除光刻胶刻蚀之后，图案成为晶圆最表层永久的一部分。
作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再需要了，必须从表面去掉。
延伸阅读
光刻工艺与光刻机区别？
光刻工艺与光刻机的区别是技术与工具的区别。
光刻工艺是工程师对所负责的光刻层做工艺参数的设置、优化；对工艺稳定性做日常监测，并及时解决出现的技术问题。一个完整的集成电路制造流程有几十个光刻层，这些光刻层按技术的类似程度分配给光刻工艺工程师，使得他们分别负责一个或者几个光刻层。而光刻机就是指纯机器，用光刻工艺师设计好了的图纸进行加工。
光刻工艺简称？
光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留的是特征图形部分。光刻胶涂复后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好，最终可转化为对器件的电特性产生影响。
光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。
什么是湿法光刻？
湿法光刻也叫浸入式湿法光刻工艺。
浸入式湿法光刻是指在光刻机投影镜头与半导体硅片之间用一种液体充满，从而获得更好分辩率及增大镜头的数值孔径，进而实现更小曝光尺寸的一种新型光刻技术。2002年以前，业界普遍认为193nm光刻无法延伸到65nm技术节点，而157nm将成为主流技术。而193纳米浸入式的概念打破了这一桎梏，该波长在水中等效波长压缩到134纳米，所以193纳米浸入式湿法光刻技术成为光刻界追逐的焦点。
光刻的工序是什么？
如果想达到比光刻机极限尺寸更小的尺寸，有一些比较巧妙的方法，供你参考。
第一种，光刻胶刻蚀法。用正胶光刻，光刻胶涂厚点，比如光刻出1.5微米的线条，然后用去胶机(氧等离子体)刻光刻胶，然后光刻图形会缩小，如果吃掉0.5微米的光刻胶，那么就可以做出0.5微米的线条了。
第二种，侧墙(spacer)的方法。就是用光刻台阶-保形淀积-刻蚀 形成spacer，一般来说可以做到一二百纳米的线条。
第三种，氧化的方法。如果是做Si基的器件，可以先刻蚀出线条，再用热氧化-腐蚀氧化层的方法进一步减小线条尺寸。
这三种方法是研究中比较常见的办法，比较巧妙，但是工艺略微复杂，耗费的精力比较多，器件的稳定性和一致性会有所损失。如果要做更小的尺寸，可以考虑用电子束光刻机，这个比较快出结果，但是花费多一些，光刻面积的效率比较低。
什么是光刻技术？
光刻技术是集成电路制造中利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。
随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。
